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IXFH 69N30P
IXFT 69N30P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
70
60
V GS = 10V
8V
7V
180
160
140
V GS = 10V
9V
8V
50
40
120
100
30
20
6V
80
60
40
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
70
60
50
40
V GS = 10V
8V
7V
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
V GS = 10V
I D = 69A
30
20
10
6V
5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 34.5A
0.6
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.4
3
V GS = 10V
60
50
2.6
40
2.2
1.8
1.4
T J = 125oC
30
20
1
0.6
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXFT70N15 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFT70N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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